2018年9月北京大学信息科学技术学院魏贤龙研究员招聘博士后

时间: 2018-09-13来源: 北京大学作者: ZBG
院系/所/中心(School)   北京大学信息科学技术学院/电子学系/物理电子学研究所
合作导师(Mentor)   魏贤龙研究员,2009年获北京大学博士学位,之后赴日本国立材料研究所工作并先后任博士后和独立研究员,2012年作为“百人计划”研究员加入北京大学,2018年任北京大学长聘副教授,目前主要从事片上电子源及片上真空电子器件的研究。 研究组主页:http://scholar.pku.edu.cn/xlwei
研究专业/方向(Department/Area) 1. 片上电子源; 2.片上X射线源等片上真空电子器件;
年薪标准(Annual Salary)   1. 工资及福利待遇按国家博士后相关规定,基本年薪不低于9万/年; 2. 享受4.2万元/年的租房补贴或学校提供的博士后公寓(如果入选博雅/博新/国际交流引进计划); 3. 符合条件者,享受国家、学校提供的福利性住房补贴1.512万元/年; 4. 享受各类保险、公积金(约2.74万元/年)和公费医疗; 5. 享受实验室项目补贴,不低于3万/年,工作业绩优秀者同时给予项目奖励。 6. 鼓励申请北京大学博雅博士后,按学校的待遇标准“博雅”博士后基本年薪不低于27万/年。详见北大博士后网站: http://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/59727.htm
职位描述(Position Description) 1. 负责片上电子源和片上真空电子器件的设计、加工和测试等工作。 2. 协助进行项目申请、立项、结题工作。 3. 完成合作导师指定的其他科研工作。
候选人基本条件(Basic Qualifications)   1. 博士学位获得者,毕业3年以内,年龄35岁以下。 2. 能够全职从事博士后研究工作。 3. 具有强烈的责任心,具备良好的沟通能力和很强的团队合作精神,勤奋努力且有志于从事学术研究工作。
候选人附加条件(Additional Qualifications) 希望具有物理电子和微电子的专业背景,从事过微纳电子器件、真空电子器件和MEMS方向研究者优先考虑。
申请材料(Applicant Documents) 应聘者需要提交以下相关材料: (1)个人简历和求职陈述信。 (2)5篇以内的代表性学术论文全文。 (3)已取得博士学位者需提供学位证书扫描件。 (4)两封专家(副高以上职称)推荐信。 (5)博士后研究设想与工作计划。
联系人(Contact Information) 姓名:魏贤龙;电话:010-62755317 邮件地址:weixl@pku.edu.cn
备注(Remark) 1.应聘者请将申请材料发至联系人信箱,邮件标题注明:应聘博士后+姓名+教育科研人才网。 2.初选通过后,邮件通知候选人;申请材料恕不退回。
截止时间(Due Date) 长期有效

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