【课题组介绍】

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台，和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员7人，其中特聘教授3人，副教授/青年研究员13人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学工程与应用技术研究院特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计与先进制造工艺

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

【职位要求】

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验;

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑。

【工作职责】

在实验室PI的指导下完成相关课题研究，并协助指导实验室研究生的培养工作。

【薪酬待遇】

1)薪资待遇参照复旦大学相关标准，博士后公寓和子女入学等按照学校相关政策执行，课题组根据个人业绩发放绩效，优秀应聘者待遇从优。

2)提供优越的科研条件和稳定的支持，鼓励博士后按照国家和地方相关政策申报博士后基金等各项基金。

3)鼓励参加国内外学术会议，提供与国内外高水平实验室进行学术交流的机会。

请应聘者提供个人简历，博士学位论文摘要，发表论文目录和1-3篇代表作全文，以及其他可以证明本人能力和学术水平的相关资料，发送至：Qingchun_zhang@fudan.edu.cn，邮件请注明“应聘博士后+硕博英才网”。实验室将择优通知面试，并提供住宿和往返车费，博后待遇从优，详情面谈。

2020年5月11日

原文出处：

http://www.hr.fudan.edu.cn/95/cf/c15369a234959/page.htm