2021年6月材料科学姑苏实验室招聘博士后公告
材料科学姑苏实验室是瞄准国家实验室建设标准和国际一流水平，服务国家重大工程战略需求，立足苏州现有科研基础与发展要求，集聚国内外创新资源，与科研院所、高等院校、龙头企业协同建设的新型的研发机构。目前注册为苏州市事业法人，已获批准为首批“江苏省实验室”，正在争取成为省级科研单位。实验室坐落在苏州工业园区，总部规划用地不少于500亩，10年建设资金总额200亿元。
姑苏实验室以独立法人事业单位实体化运行，实行理事会领导下的实验室主任负责制。基于“组织支撑流程，流程支撑业务”的理念设立组织模块，创新实践“主建”和“主战”相结合的矩阵式管理理念，探索符合科技创新规律和市场经济规律，引领未来科技、产业发展与国际接轨的各类新型管理体制机制。
姑苏实验室的建设目标是紧扣材料科学领域中的国家重大战略需求、区域经济发展重大需求以及未来科技革命的前沿技术“三大重点”，以突破国家重大战略需求、攻克区域产业重大技术瓶颈、解决行业重大科技问题为使命，通过五年左右的一期建设，集聚1000名以上的科研、技术及管理人才，建成具有国际一流水平的材料研发、分析表征、仿真模拟等公共平台，突破一批材料科学领域核心基础科学问题和关键共性技术问题；通过二期建设，到2030年，姑苏实验室力争跻身世界一流材料实验室行列，成为具有全球影响力的国际化创新策源地、国家材料战略性科技创新基地。
欢迎全球有志于电子信息材料、能源环境材料、生命健康材料等研究领域的优秀才俊加盟，共同致力于材料领域的科研创新！
②岗位描述和应聘条件
| 序号 | 项目研究方向 | 招聘人数 | 专业方向 | 候选人基本条件 |
| 1 | 超导量子器件（器件工艺开发）（G201&202) | 3 | 半导体、微电子 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较强的微纳加工基础，熟练掌握版图设计、紫外光刻、电子束曝光、薄膜生长、刻蚀、封装等工艺，有硅基和III-V半导体器件、超导电子器件的加工经验者优先； 3、沟通能力强，具有合作精神，能够独立承担器件研究和工艺开发工作； 4、有良好的英文阅读和写作能力。 |
| 2 | 超导量子器件（量子器件设计及测控）（G201&202) | 7 | 物理、微电子、微波工程、电子信息技术 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有固态量子器件设计、测控和分析经验者优先； 3、深入理解量子电动力学或量子光学，了解开放量子系统理论，熟悉低温测试系统。 |
| 3 | 超导量子器件（材料微波损耗测试）（G201&202) | 3 | 物理、电子信息技术、材料、微波 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具备三年以上微波工程、微波器件设计、器件电磁场模拟及测试相关工作经历； 3、深入理解材料微波损耗机理； 4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先 |
| 4 | 超导量子器件（固态量子芯片退相干微观机理研究）（G201&202) | 2 | 物理、电子信息技术、材料、微波 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具备三年以上材料微观物性研究、及测试相关工作经历，有较强的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、电子自旋共振表征、钻石NV色心探针表征、ScanningSQUID表征等； 3、深入理解材料微波损耗机理； 4、有微波器件设计及微波损耗测试经验者优先 |
| 5 | 高精度动态三维智能视觉芯片与系统核心技术开发（G203） | 6 | 计算机、通信、自动化等相关专业 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较好数学基础，较强的图像处理算法设计能力； 3、在计算成像、图像处理等领域具有相关研究成果或开发经验； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力； 5、了解双目、结构光、ToF等一种或者多种技术者优先。 |
| 6 | MOCVD/MBE外延与器件验证（G2101） | 3 | 半导体材料生长、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学、材料学、物理学、真空技术等相关专业； | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE设备研发制造及生长技术； 3、根据外延材料测试与下游器件的结果反馈，进行外延工艺的优化与改进； 4、对MBE外延产品分析检测，数据分析，形成报告和技术文档； 5、熟悉外延产品知识和相关应用，熟练操作所负责的仪器和软件，能独立设计实验和分析实验结果； 6、熟悉了解外延片各类表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同时根据要求的材料结构研发和编写外延生长工艺 |
| 7 | 基于超表面的光谱调制结构设计（G2102） | 1 | 材料、电子、微电、精仪等 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、微电子、电子工程、半导体物理、材料等相关专业硕士及以上学历，研究生阶段从事过光子晶体、超材料方面的研究。 3、有较好的数理基础，能深刻理解微纳结构与电磁波的相互作用，熟练使用FDTD、Rsoft、RCWA等进行电磁波仿真。 4、根据公司业务需求，完成微纳结构的仿真设计，配合测试结果优化结构设计。 5、熟练使用TannerTool或klayout等版图设计软件者优先，有一定的代码能力者优先 |
| 8 | 快速高精度光谱重建算法研究(G2102) | 1 | 材料、电子、微电、精仪等 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、数学、计算机等相关专业，具备扎实的数学基础和数据处理经验； 3、熟悉并可以应用多种机器学习模型。包括但不限于线性模型、树模型、概率图模型、聚类模型、深度学习模型、多任务学习、迁移学习、强化学习、整数规划算法、VRP算法（其中若干种即可）； 4、熟练掌握python和C++; 5、有算法部署经验者优先; 6、责任心强，善于学习新事物，有较强的分析问题和解决问题的能力。 |
| 9 | 融合人工智能的材料结构搜索策略和方法（G2103） | 1 | 计算材料学&人工智能 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、熟悉C++,Python等；熟悉主流的开源深度学习框架如PyTorch,TensorFlow等；如有遗传算法、粒子群算法经验更佳。 |
| 10 | 高精度超高带宽量子比特读取技术（G2113) | 1 | 物理电子学/电子学相关专业 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具备高速模拟电路设计、FPGA程序设计经验 |
| 11 | 退役动力电池材料回收与再生（G2116） | 4 | 选矿，湿法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有机合成，生物合成专业 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具备深厚的电化学/锂电材料合成/测控、智能识别/选矿/湿法冶金的理论知识； 3、能够独立开展研究平台搭建和开展课题研究； |
| 12 | 晶圆级微透镜阵列光学芯片（G2118) | 1 | 自动化 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具有3年以上微纳加工（光刻、刻蚀、SEM检测）经验者优先;3、精通衍射光学，微纳光子学理论基础和设计技巧，具有实际设计的成功经验; 4、熟悉相关的微纳加工技术，了解相关的核心设备型号和操作规程，并了解制作过程所需材料; 5、精通光刻、纳米压印、电镀、印刷、精通薄膜等技术，并能熟练使用日常分析及检测仪器。 |
| 13 | 晶圆级微透镜阵列光学芯片（G2118) | 1 | 微电子与固体电子学 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、至少熟练掌握Matlab编程语言，简历必须包含以Matlab语言撰写的代码内容，熟练掌握C/C++或Python等编程语言者更佳； 3、有扎实的傅里叶变换、概率论、线性代数功底（相关课程成绩优秀）； 4、熟悉数字信号处理、统计信号处理、阵列信号处理、雷达者优先考虑。 |
| 14 | 连续喷墨打印技术研究（G2120) | 6 | 电子工程、自动化、机械工程，材料，电子，微电，物理 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具有MEMS器件、PZT压电薄膜制备、传感器件（Sensor）、制动器件（Actuator）或其他半导体器件研究基础和经验； 3、熟悉常见的MEMS芯片制备工艺：光刻、深硅刻蚀、键合等； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。 |
| 15 | OLED/QLED显示材料的设计合成与开发（G2120) | 6 | 有机/物理化学/高分子化学；微电；材料；光学 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有扎实的有机分子材料设计与合成的基础和经验； 3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有机光电器件的研究经历； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读和撰写能力。 |
| 16 | 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（微聚焦电子束（10微米级别、动态扫描）、光电子调制检测） （G2121) | 2 | 真空电子学 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较好物理基础； 3、在磁偏转电子束、电子透镜等领域具有相关研究成果或开发经验； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力； 5、有XPS使用维护经验者优先。 |
| 17 | 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（X射线单色化调制） （G2121) | 1 | 光学 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较好光学基础； 3、在光束聚焦等领域具有相关研究成果或开发经验； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力； |
| 18 | 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（自动化控制） （G2121) | 1 | 自动化 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较好自动化基础； 3、在仪器自动化领域具有相关研究成果或开发经验； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力； |
| 19 | 半导体工业级在线式X射线光电子能谱的关键技术研究（数据分析反馈） （G2121) | 1 | 计算机，人工智能 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、有较好计算机基础，较强的算法设计能力； 3、在大数据、人工智能等领域具有相关研究成果或开发经验； 4、较强的论文检索，英文专业文献阅读能力； |
| 20 | AlGaN深紫外LED外延生长、AlGaN深紫外LED器件工艺（G2122） | 4 | 半导体材料与器件、光电子 | 1、国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2、具有化合物半导体材料外延生长、光电子或功率电子器件的研究背景； 3、了解相关领域国内外最新研究进展，具有扎实的专业基础知识和实验技能、及较强的英语读写能力，在前期学习/工作过程中做出同行认可的成绩； 4、具有较强的团队合作精神、责任心和独立开展工作的能力，动手能力强，认真细心，踏实肯干，善于沟通，有意长期从事氮化物半导体材料与光电子器件的研发及产业化工作； 5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生长或芯片工艺研发经验者优先考虑。 |
③相关待遇
（一）薪资待遇：协议年薪25万起，成功进站工作者额外获得2年18万生活补贴。
（二）人才项目：实验室支持符合条件的博士后进站人员竞争性申报国家“博新计划”、国际交流计划引进项目、博士后基金站前特别资助等。
（三）职称评定：在站期间可参与申报自然科学研究系列职称。
（四）科研项目：按照相关规定，申请国家、省市各类科研项目。
（五）在职培训：提供相关专业与技术能力培训的机会。
（六）其他福利：高标准缴纳五险一金、年度体检、节日福利等。
④应聘材料及方式
1.基本材料：应聘登记表、简历、学历/学位证书、身份证复印件等；
2.证明材料：文章列表、发明专利、获奖证书复印件等相关证明本人能力及水平的证明材料；
3.请将上述材料以“项目研究方向+姓名+硕博英才网”命名发送至邮箱：hrzp@gusulab.ac.cn。
4.姑苏实验室官方网站：www.gusulab.ac.cn。
材料科学姑苏实验室，期待海内外人才共创事业！
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原文出处：
http://www.gusulab.ac.cn/recruit/workTwo/workXiao/202106/t20210615_1260.html
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